حسن بیدادی - گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
فرامرز هادیان - گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
احمد صلواتی - گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
ایران صیدی - گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک،دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز

در این پژوهش، لایه های نازکی از واریستورهای اکسید روی آلاییده با مجموعه ای از اکسیدهای Bi2o3 و Sb2O3 و Co3O4 و B2O3 و MnO2 به روش تبخیر به وسیله بمباران الکترونی، روی زیر لایه های سرامیکی تهیه، در دماهای مختلف باز پخت شده و برخی از خواص الکتریکی آنها از قبیل مشخصه I-V، ضریب خطی α و پدیده پسماند مورد مطالعه قرار گرفته است. در نهایت تبولر لایه های نازک از طریق الگوی پراش پرتو ایکس XRD بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که پیش از باز پخت، لایه های نازک اکسید روی ، آمورف بوده و خواص اهمی دارند. و پس از آن بلوری شده و مشخصه غیر خطی از خود نشان می دهند. با تغییر دمای باز پخت، واریستورهای ویژیگی های متفاوت از خود بروز می دهند.