امیر باغی رهین - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سردرود، گروه مهندسی برق ، سردرود، ایران
وحید باغی رهین - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سردرود، گروه مهندسی برق ، سردرود، ایران

در این مقاله ، یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور FomFET با گیت های مستقل پیشنهاد شده و طراحی و شبیه سازی آن با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 32 نانومتر FinFET به انجام رسیده است. مشخصات اصلی تقویت کننده پیشنهادی از قبیل بهره ولتاژ DC، توان مصرفی، فرکانس بهره واحد (UGF)، نسبت حذف حالت مشترک (CMRR)، نسبت حذف اثر تغذیه (PSRR) و زمان نشست (settling-time) محاسبه شدند و با یک تقویت کننده دو طبقه مرسوم CMOS مورد مقایسه قرار گرفتند. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی مبتنی بر FinFET در ولتاژ تغذیه کمتر عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده دو طبقه مرسوم مبتنی بر MOSFET دارد. در طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 1 ولت و توان مصرفی 58 میکرو وات ، بهره 52 دسی بل و فرکانس بهره واحد 4/6 مگا هرتز با حد فاز 71 درجه بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده دو طبقه CMOS مرسوم از لحاظ ضریب شایستگی مشاهده کردیم که ضریب شایستگی طرح پیشنهادی به اندازه 1/2 برابر بهبود یافته است.به انجام رسید

تقویت کننده عمیاتی دو طبقه، ترانزیستور Fin fet، بهره بالا، توان پایین، ولتاژ پایین