سارا حشمتیان - استادیار - مرکز آموزش عالی فنی و مهندسی بوئین زهرا، گروه علوم مهندسی، بوئین زهرا، قزوین، ایران
مریم امیرحسینی - استادیار - مرکز آموزش عالی فنی و مهندسی بوئین زهرا، گروه علوم مهندسی، بوئین زهرا، قزوین، ایران

آشکارسازهای نوری آیندیوم نیتراید با لایه نشانی نانوذرات ایندیوم نیتراید بر روی زیزلایه سیلیکونتوسط دستگاه کندوپاش الکترومغناطیس در دمای محیط و اتمسفری از ترکیبات مختلف گازی ساخته شدند. اتصال های فلزی نقره/ آلومینیوم توسط دستگاه تبخیر حرارتی در خلا Torr؛ (5-)10 در بالا و کف لایه نیمه رسانا ایجاد شد و سپس جهت از بین بردن استرس بین لایه ها و ایجاد ارتباط مطلوب بین فلزات و نیمه هادی عملیات بازیخت روی لایه ها صورت گرفت. عملیات بازپخت در دماهای 200-600 درجه سانتی گراد در اتمسفر نیتروژن صورت گرفت. تأثیرات بازپخت روی مشخصه های ساختاری واپتیکی InN بررسی شد. اندازه گیری های جریان- ولتاژ (I-V) بعد از بازپخت روی لایه ها انجام شد و تأثیر نور در عملکرد آشکارساز نوری InN بدست آمد.

آشکارساز نوری، عملیات بازپخت، نیمه رساناهای نیتراید و گروه سوم، دستگاه کندوپاش الکترومغناطیس