سعید رحمانی میاندشتی - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محمدروح اله یزدانی - استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان

مساله تداخل الکترومغناطیسی در مبدلهای سوئیچینگ قدرت از اهمیت ویژهای بر خوردار است. ولتاژ استرس بالا ناشی از تخلیه انرژی سلف نشتی در خازن سوئیچ در مبدل فلای بک تک سوئیچه باعث افزایش تلفات و سطح تداخل الکترومغناطیسی می شود. توپولوژی فلای بک دو سوئیچه باعث کاهش سطح ولتاژ استرس و ضربه های ولتاژ سوئیچ می شود و در نتیجه پتانسیل کاهش سطح EMI را در مبدل فلای بک تک سوئیچه دارد. برای ارزیابی میزان کاهش EMI هدایتی در مبدل فلای بک دو سوئیچه، در این مقاله دو مبدل فلای بک تک سوئیچه و دو سوئیچه مشابه 30 وات طراحی و مدلسازی شده است. بر اساس این مدلسازی، میزان کاهشEMI در مبدل فلای بک دوسوئیچه نسبت به فلای بک تک سوئیچه مقایسه و ارائه شده است

تداخل الکترومغناطیسی، سازگاری الکترومغناطیسی، مبدل فلای بک تک سوئیچه، مبدل فلای بک دو سوئیچه