محمد حسین معیری - آزمایشگاه میکروالکترونیک دانشگاه شهید بهشتی
رضا فقیه میرزایی - آزمایشگاه فناوری نانو و محاسبات کوانتومی دانشگاه شهید بهشتی
کیوان ناوی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی

در این مقاله دو مدار تمام جمع کننده تک بیتی با سرعت بالا و توان مصرفی کم راایه شده است. تمامی گره های این دو مدار از نوسان ولتاژ کامل (Full Voltage Swing) برخوردارند که باعث کاهش حساسیت آنها نسبت به نویز و افزایش قابلیت اطمینان می شود. مدارهای ارایه شده به همراه چندین مدار تمام جمع کننده جدید در محیطی واقعی توسط نرم افزار HSPICE و با تکنولوژی 90 CMOS نانومتر شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی برتری طرح های ارایه شده را نسبت به دیگر مدارها، از لحاظ سرعت و توان مصرفی، نشان می دهد. به سبب سرعت بالا و توان مصرفی پایین و ساختار ساده مدارهای ارایه شده، آنها را می توان به طور موثر در سیستم های بر تراشه و سیستم های تعبیه شده مجتمع سازی کرد.

سلول تمام جمع کننده، مدارات VLSI، گیت XOR، ترانزیستور عبور، پر سرعت، کم توان، ولتاژ پایین