امید فولادی کاخکی - دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری ، تهران، ایران
زهرا آهنگری - استادیار، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری،تهران، ایران

از مشکلات مهم در روند کوچک سازی ترانزیستورMOSFET کنونی در ابعاد نانو، وجود ناحیه تخلیه شده ناشی از پیوند PN در فصل مشترک سورس و درین با کانال میباشد که موجب کاهش کنترل گیت بر کانال وافزایش جریان نشتی افزاره میگردد. ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند به عنوان یک ساختار جایگزین ترانزیستورهای کنونی معرفی گردیده است. برای عملکرد NMOS افزاره بدون پیوند، آلایش میباشد. مشابه ترانزیستور اثر میدانی کنونی، حداقل سویینگ زیر آستانه برای این افزاره dec/60mV + سورس، کانال و درین از نوع Nمیباشد[1 .[ترانزیستور تونلی بدون پیوند از هر دو مزایای ترانزیستورهای تونلی و بدون پیوند استفاده کرده و ضمن استفاده از یک نوع آلایش برای سورس، کانال و درین موجب افزایش سرعت کلیدزنی افزاره میگردد. در این مقاله مشخصههای الکتریکی ترانزیستور NMOSx -با ساختار گیت دو مادهای مورد بررسی قرار خواهد گرفت. ساز و کار اصلی جریان در این افزاره تونلی بدون پیوند نامتجانس GeSixGe1- تونلزنی نوار به نوار حاملها از سورس به کانال میباشد. در ساختار گیت دو مادهای، از دو گیت با تابع کار متفاوت بر روی کانال استفاده گردیده است به گونهای که تابع کار گیت در فصل مشترک سورس با کانال طوری تنظیم شده است که موجب افزایش احتمال تونلزنی و کاهش سویینگ زیر آستانه گردد. سورس از نوع x-SixGe1 ،درین و کانال از نوع ژرمانیوم میباشند. درصد مولیژرمانیوم (x (2/0 است.

ترانزیستور بدون پیوند، پیوند نامتجانس، تونلزنی نوار به نوار، سویینگ زیر آستانه