علی اصغر اروجی - استاد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
اکرم عنبرحیدری - کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
زینب رمضانی - کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز -نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی است . نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنهادی به ترتیب 57 ̃و 50 ̃نسبت به ساختار مسفت با گیت تو رفته دوبل در طرف سورس بهبود یافته است. بنابر این ساختار پیشنهادی عملکرد بهتری در کاربردهای توان بالا خواهد داشت.

ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی کربید سیلیسیم ،گیت تو رفته دوبل،ولتاژ شکست،ماکزیمم توان خروجی