اسماءالسادات معتمدی - پژوهشکده لیزر و اپتیک، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران
یاسمن گلیان - پژوهشکده لیزر و اپتیک، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران
محمدرضا رشیدیان وزیری - پژوهشکده لیزر و اپتیک، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران
فرشته حاج اسماعیل بیگی - پژوهشکده لیزر و اپتیک، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران

در این پژوهش، لایه های نازک نانوساختار مس با استفاده از روش لایه نشانی لیزر تپی (PLD) تهیه شده است. طیف جذب نوری لایه ها به روش بیناب سنجی وساختار نانویی آنها با استفاده از روش SEM مورد بررسی قرار گرفته است. هم چنین خواص نوری غیرخطی لایه ها با روش روبش-z و استفاده ازروبش- zغیرموضعی تعمیم یافته مورد مطالعه قرار گرفته است. در این مقاله، نشان داده شده است که روبش- z غیرموضعی می تواند به طور موثری برای به دست آوردن مقادیردقیق پارامترهای غیرخطی لایه های نازک که ساختار نانو آن ها تعیین کننده پاسخ غیرموضعی می باشد، استفاده شود.