استفاده از Perovskite/CIGS برای طراحی سلول خورشیدی دوپیوندی با بازدهی بالا

در این مقاله به طراحی یک سلول خورشیدی دوپیوندی با استفاده از پروسکایت C IGS پرداخته می شود. ابتدا سلول خورشیدی بالایی با لایه جاذب پروسکایت با شکاف باند eV۹/۱ و سلول خورشیدی زیرین با لایه جاذب CIGS با شکاف باندeV۴/۱ شببه سازی شده اند. با توجه به اینکه شکاف باند پروسکایت و CIGS هر دو قابل تنظیم هستند، این دو ماده به عنوان لایه جاذب در سلول خورشیدی دوپیوندی می توانند عملکرد مناسبی داشته باشند. برای اتصال دو سلول بالا و پایین از معماری چهارترمیناله استفاده شده است. در این ساختار از پیوند همگون پروسکایت نوع n و نوع p استفاده شده که وظیفه انتقال و جداسازی حامل ها به عهده میدان الکتریکی داخلی است و به دلیل کوچکتر بودن ناحیه تخلیه، نسبت به ساختار p-i-n و n-i-p، بازترکیب حامل ها افزایش یافته و تلفات نوری کاهش می یابد که منجر به افزایش بازدهی می شود. بازدهی سلول خورشیدی دوپیوندی طراحی شده ۷۱/۳۰ درصد به دست آمده است.

کلیدواژه ها:

اتصال چهار ترمیناله ، بازدهی ، پیوند همگون پروسکایت ، سلول خورشیدی چندپیوندی ، CIGS.