بررسی تاثیر ناخالصی های Po ،Te ،Br و I بر روی خواص الکترونیکی و نوری سولفید گالیم تک لایه

مقاله حاضر، تاثیر ناخالصی اتم های گروه ششم و هفتم جدول تناوبی بر نانو ساختار سولفید گالیم تک لایه از خانواده مونوکالکوژناید فلز واسطه مورد بررسی قرار می گیرد. ساختار باند، طیف انتقال بایاس صفر و تابع دی الکتریک برای تمام ساختار محاسبه گردید. شبیه سازی در بستر سیاستا و بر مبنای نظریه تابعی چگالی انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که حضور ناخالصی گروه ششم و هفتم جدول تناوبی در جایگاه گالیم و گوگرد منجر به تغییرات در انرژی شکاف، تابع دی الکتریک و همچنین طیف تابع انتقال می گردد. به عنوان مثال با قرار گرفتن اتم Po در موقعیت اتم گالیم ساختار مغناطیسی می گردد. همچنین در اسپین بالا ساختاری با ماهیت فلز و در اسپین پایین، نیمه هادی مستقیم با شکاف باند حدود ۰/۴۷۸ الکترون ولت را نشان می دهد. مطالعه ناخالصی در گالیم سولفید تک لایه، فرصت های جدیدی را برای بهینه سازی خواص الکترونیکی و نوری این مواد در ادوات الکترونیکی فراهم می نماید.

کلیدواژه ها:

سولفید گالیم ، شکاف باند ، طیف انتقال