استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا 1.3 میکرومتری
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 543
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAEC02_072
تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393
چکیده مقاله:
این اولین آشکارساز GaAs که در رنج نوری 1.3 تا 1.5 میکرومتری کار می کند. این آشکارساز یک دیود نوری پین است که لایه مرکب ذاتی GaAs را در دمای 225 درجه سانتی گراد رشد دادیم و متعاقبا در حرارت 600 درجه سانتیگراد هم رشد دادیم. فرایند رشد همان طور که شرح داده می شود با غلظت بالا ساخته می شود و از رسوب As در منطقه رشد دمای پایین است. ما اینجا اثر جذب را از طریق خروج الکترون از داخل فلز در اثر نیروی ناشی از نور و ... را نشان می دهیم و همچنین ارتفاع سد شاتکی را در حدود 0.6ev پیدا کردیم و نفوذ با حساسیت قابل قبول در حدود 1.7 میکرومتر در دمای اتاق است.
کلیدواژه ها:
آشکارساز ، دیود نوری پین و رسوب ev
نویسندگان
محمد حسین پارسا
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
ابوالفضل چمن مطلق
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :