کاربرد ساختارهای کربنی نانومتری برای انجام لیتوگرافی زیر میکرومتری و نانومتری با استفاده از گسیل الکترونی
محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,978
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE13_029
تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386
چکیده مقاله:
چکیده : رشد عمودی نانولوله های کربنی چنددیواره، امکان ساخت ترانزیستور تونل زنی - گسیل میدانی را فراهم می کند . به علت نوک های تیز نانولوله ها، ترانزیستور قادراست درآستانه ۵ ولت، جریان گسیلی بین کاتدو آندی که به فاصله ی 100میکرومتر از نوک نانو لوله ها قرار دارد، برقرار کند . با لایه نشانی اکسید تیتانیم به دور نانو لوله، گیت و نانولوله از یکدیگر جدا می شوند . اعمال ولتاژ به گیت ترانزیستور ، جریان گسیلی آن را کاملا کنترل می نماید . ساخ ت ترانزیستور تونل زنی - گسیل میدانی امکان نانولیتوگرافی را فراهم می کند . به علت نوک
های تیز نانولوله ها و ساختار ترانزیستور اشعه الکترونی قابل کنترلی که از نوک نانولوله ها خار ج می شود ، این امکان را می دهد که قطع و وصل کردن اشعه توسط گیت ترانزیستور قادر باشیم لیتوگرافی در ابعاد نانومتری را داشته باشیم . با اعمال ولتاژ گیت مناسب رو ی ترانز یستور می توان اشعه الکترونی را تا nm 200 متمرکز کرد . ما موفق شدیم با این روش تا ابعاد 100 نانومتر لیتوگرافی کنیم .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هادی حسین زادگان
دانشگاه تهران
یاسر عبدی
دانشگاه تهران
جواد کوهسرخی
دانشگاه تهران
شمس مهاجرزاده
دانشگاه تهران