بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,063
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP14_026
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1386
چکیده مقاله:
با استفاده از شبیه سازی مونتو کارلو، مدلی سه ذره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای InPو GaAs در حضور میدانهای شدید مورد استفاده قرار گرفته است. عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InP بیشتر ازGaAs بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد. اشباع سریع سرعت سوق در InP کاربردهای اپتوالکترونی این ماده را پیشنهاد می کند. این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است.
نویسندگان
محمدرضا خلوتی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار