بهبود حاصل ضرب تاخیر در مصرف توان در تسهیم کننده چندمقداری با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی و مدارهای مجتمع تا محدوده نانومتر، صنعت نیمه هادی با چالش های زیادی روبه رو خواهد بود. این کاهش مقیاس، موجب اثرات بیشتر کانال کوتاه، کنترل کمتر گیت، افزایش نمایی جریان های نشتی، تغییرات شدید فرایند و چگالی های توان غیرقابل مدیریت می شود. کاهش مقیاس فناوری CMOS در طی سه دهه اخیر سرعت بالایی داشته است اما ممکن است این کاهش مقیاس به زودی به دلیل افزایش اثرات کانال کوتاه و محدودیت های اتلاف توان به پایان برسد. یک گزینه عالی به منظور داشتن امکان ادامه کاهش ابعاد و برای توسعه ساختارهای جدید، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی می باشد. در این تحقیق، سعی بر این است که بتوانیم بهبود عملکرد فناوری CNTFET نسبت به فناوری CMOS درتسهیم کننده ها را نشان دهیم. شبیه ساز H-spice برای تسهیم کننده های 1×2 و1×4 نشان می دهد که حاصل ضرب توان مصرفی در تاخیر تسهیم کننده با فناوری CNT نسبت به فناوری CMOS منجر به بهبود عملکرد حدود 7 برابری است. این نتایج را با محاسبه حالات مختلف بردار کایرالیتی، تغییر نانولوله ها، محاسبه حداکثر توان خروجی و همچنین محاسبه تاخیر در فرکانس کاری 1MHz به دست آورده و مقایسه نمودیم.

کلیدواژه ها:

تسهیم کننده (مالتی پلکسر) ، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، بردار کایرالیتی ، توان مصرفی ، تاخیر ، حاصل ضرب توان در تاخیر