بررسی تاثیر نوسانات تصادفی ناخالصی روی خواص الکترونیکی نانوسیم InxGa1-xN/GaN با سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده

امروزه نیمه هادیها مواد مهمی از گروه جامدات هستند که کاربردهای زیادی در حوزه تحقیقاتی پیدا کرده اند. این مواد در ساخت قطعاتی الکترونیکی، سلولهای خورشیدی، لیزرهای نیمه هادی، دیودهای نوری و ... بکار میروند. یکی از ویژگیهای مهم نیمه هادیها که آنها را از نارساناها و فلزات متمایز ساخته این است که در نیمه هادیها، با تغییر میزان درصد ناخالصی میتوان رسانایی الکتریکی آنها را تنظیم کرد. در این مقاله، با توجه به اهمیت مواد ایندیم گالیم نیترید و بخصوص کاربرد وسیع آنها در ساختارهای قطعات الکترونیکی، خواص الکترویکی نانوسیم ناهمگن InxGa1-xN/GaN که دارای یک سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل داده شده میباشد، بوسیله تغییر درصد ناخالصی ایندیم در آن مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از نرم افزار sphinx و بر اساس تئوری k.p هشت باند مبتنی بر موج تخت انجام پذیرفته است. در این مقاله، با ارائه شکلهای چگالی بار الکترون و حفره با درصدهای مختلف ایندیم در نانوسیم مذکور، همپوشانی بین الکترونها و حفره ها و همچنین انرژی آنها مقایسه و بیان شده است.

کلیدواژه ها:

انتقال فناوری ، صنعت نفت ، فراورده های کاتالیستی ، کاتالیست ، مواد شیمیایی