طراحی ضربکننده آنالوگ تمام CMOS ولتاژ پایین با توان مصرفی کم و رنج ورودی زیاد
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 983
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_577
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی مد ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهایCMOS بایاس شده در ناحیه اهمی و اشباع ارائه شده است. عمده پیشرفت این ضرب کننده کاهش توان مصرفی، افزایش رنج ورودی و افزایش پهنای باند میباشد. این ضرب کننده بصورت کاملاًCMOSپیادهسازی شده که با تکنولوژی دیجیتال سازگار میباشد. این مدار با تکنولوژی 0/18μm طراحی و با نرم افزارHspice و ولتاژ تغذیه 1/2 شبیه سازی شده است. نتایج شبیهسازی بیانگر کاهش توان مصرفی، کاهشTHD و زیاد بودن پهنای باند میباشد که این ساختار را برای کاربردهای مختلف در سیستمهای آنالوگ مناسب مینماید
کلیدواژه ها:
طراحی توان پایین ، ضرب کنندهCMOS مدارات ولتاژ پایین
نویسندگان
علی رضائی
دانشگاه تفرش
مهدی جعفری پناه
دانشگاه تفرش
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :