اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,330
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_075
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
گاز متان با انرژی 90 keV و گستره دز از / cm 2 یون 4 ×10به توان 17 تا 3/2 ×10 به توان 18 درون سیلیکون کاشته شده است . دمای زیر لایه ها در حین کاشت 570 0 C و بازپخت بعدی در دمای 980 0 C بوده است . اندازه گیری های FTIR نشان می دهد که بلافاصله بعد از کاشت، پیوند بین کربن و سیلیکون برقرار شده و کاربید سیلیکون آمورف هیدروژن دار ) ) a−SiC : H تشکیل و بعد از بازپخت، لایه های آمورف به β −SiC تبدیل شده اند . در این مقاله نشان داده شده است که میزان کریستالیزه شدن β −SiC از دز / cm 2 یون 4 ×10 به توان 17 تا دز 1/2 × 10به توان 18 افزایش و بعد از این دز تا 3/2 × 10به توان 18 کاهش یافته است . بنابراین دز بهینه ای برای تشکیل β −SiC وجود دارد . همچنین در این مقاله ضخامت لایه ها بوسیله طیف سنجی FTIR محاسبه شده است
نویسندگان
حسن دیباجی
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
مجید مجتهدزاده
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
محسن صالح کوتاهی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه فیزیک
عبدالجواد نوین روز
سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :