استفاده از ساختارهای باند شکاف الکترومغناطیسی در طراحی، شبیه سازی و ساخت آنتن آرایه ای چند ورودی – چند خروجی با قطبش دایروی و مشخصات بهبود یافته

یک آنتن آرایه ای قطبش دایروی باند وسیع چند ورودی – چند خروجی با شبکه تغذیه ۲×۴ برای کاربردهای باند C ارائه می شود. روش های مختلفی در آرایه پیشنهادی جهت بهبود مشخصه های آنتنی همچون بهره، پهنای باند نسبت محوری، تطبیق امپدانس و اثرات مخرب تزویج متقابل ارائه می شود. برای بهبود بیشتر ویژگی قطبش دایروی یک شبکه تغذیه سلسله مراتبی چند ورودی- چند خروجی ۲×۴ برای عریض تر کردن پهنای باند استفاده شده است. علاوه بر آن ویژگی چند ورودی- چند خروجی شبکه تغذیه توانایی کنترل قطبش دایروی راستگرد و چپگرد را دارد. ساختار باند شکاف الکترومغناطیسی برای بهبود عملکرد کلی آرایه طراحی و تحلیل می شود. در نهایت شکل خاصی از ساختارهای باند شکاف الکترومغناطیسی به لایه خارجی شبکه تغذیه چند ورودی-چند خروجی اعمال می شود که منجر به ایزولاسیون بالا در عناصر تشعشعی و شبکه آرایه ای می شود. نتایج اندازه گیری به دست آمده از آزمایشگاه آنتن، پهنای باند امپدانسی ۶/۴ تا ۳/۷ گیگاهرتز برای درگاه یک و ۲۵/۴ تا ۲/۷ گیگاهرتز در درگاه دو و پهنای باند نسبت محوری ۳ دسیبل در درگاه یک ۹/۴ تا۶۵/۶ گیگاهرتز و در درگاه دو ۷/۴ تا ۸/۶گیگاهرتز می باشند. مقدار بهره اندازه گیری شده با مقدار ۳/۱۰دسیبل در فرکانس ۶ گیگاهرتز اندازه گیری می شود.

کلیدواژه ها:

قطبش دایروی ، چند ورودی - چند خروجی ، نسبت محوری ، پهنای باند امپدانسی ، ساختار باند شکاف الکترومغناطیسی