شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان ۵ / ۳ وات باند X با استفاده از ترانزیستورهای مجزا
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 282
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TETSCONF08_015
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله مراحل شبیه سازی و ساخت یک تقویت کننده توان در بازه فرکانس ۹/۲-۸/۸ گیگاهرتز توسط ترانزیستورهای مجزای GaN HEMT گزارش شده است. برای مشخصه یابی وایرباندها و مدارهای تطبیق مورد نیاز و بهینه سازی مدارهای طراحی شده، شبیه سازی های سه بعدی در نرم افزارهای HFSS و Momentum ADS انجام شده است. تقویت کننده ساخته شده توان ۳/۵ وات و بهره توان ۱۳dB دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی فروزانفر
استادیار دانشگاه بیرجند