ساختار الکترونی و خواص ترموالکتریک در ساختار کپه ای و لایه نازک آلیاژ نیمه هویسلر Pr-Ni-Bi بر اساس اصول اولیه و رهیافت شبه کلاسیک بولتزمان

در این مقاله حالت کپه ای و لایه نازک ترکیب نیمه هویسلر Pr-Ni-Bi بر اساس رهیافت ابتدا به ساکن نظریه ی تابعی چگالی، به منظور مطالعه ی ساختار الکترونی، مغناطیسی و خواص ترابردی مورد مطالعه قرار گرفته است. ساختارتعادلی بلوری برای دو فاز  و  محاسبه شده و نتیجه نشان می دهد این ترکیب در فاز  پایدارتر وبا اعمال فشار هیدروستاتیکی برابر با -۲.۹۴GPa گذار از فاز  به  امکان پذیراست. همچنین در فاز  گشتاور مغناطیسی کل سامانه بزرگتر است. چگالی حالت ها و ساختار نواری فاز  نشان می دهند که ترکیب در این فاز رفتار نیم فلزی داشته و یک گاف به بزرگی ۰.۳۵۱eV در کانال اسپین اقلیت برروی سطح فرمی وجود دارد. ضریب سیبک و فاکتور توانی در دماهای ۲۰۰، ۳۰۰ و ۴۰۰ کلوین و برای پتانسیل های شیمیایی مختلف محاسبه شده است. نتایج نشان می دهند این ساختار عملکرد ترموالکتریک متوسطی از خود نشان می دهد ولی این خواص در حالت لایه ی نازک بهبود قابل ملاحظه ای می یابند.

کلیدواژه ها:

آلیاژهویسلر ، لایه های نازک ، ترمو الکتریک ، نظریه ی تابعی چگالی ، معادله ی بولتزمان