استفاده از هیدروکسی آپاتیت تهیه شده به روش سل- ژل برای دزیمتری پرتوهای گاما و باریکه ی الکترونی

در این مقاله دزیمتری میدان پرتو از طریق اندازه­گیری رادیکال­های آزاد القاء شده در هیدروکسی آپاتیت مصنوعی با بهره­گیری از طیف­بینی تشدید اسپین الکترون یا تشدید پارامغناطیسی الکترون (EPR) مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا نانو پودر هیدروکسی آپاتیت مصنوعی (HAP) به روش سل- ژل تهیه و پس از آمایش حرارتی، توزین و بسته­بندی شد. در ادامه، نمونه­ها با پرتوهای گامای حاصل از چشمه­ی کبالت-۶۰ و باریکه­ی الکترونی به انرژی MeV۱۰ با دزهای جذبی متفاوت، در محدوده­ی دزهای بالا پرتودهی و شدت علامت تشدید پارامغناطیسی الکترون نمونه­های پرتودیده در دمای اتاق و در مجاورت هوا اندازه­گیری شد. سپس تغییرات شدت علامت تشدید پارامغناطیسی الکترون به صورت دامنه­ی نقطه به نقطه­ی علامت رسم و با نمونه­های آلانین و پودر استخوان مقایسه گردید. نتایج به دست آمده از این بررسی نشان داد که شدت علامت تشدید پارامغناطیسی الکترون نمونه­ی مورد بررسی در مقایسه با پودر استخوان و آلانین به مراتب بالاتر بوده و نسبت به آن­ها در دز جذبی بالاتری به حالت اشباع می­رسد.

کلیدواژه ها:

طیف تشدید پارامغناطیسی الکترون ، هیدروکسی آپاتیت ، روش سل- ژل ، دزیمتری ، پرتو گاما و الکترون