محصور سازی بلورهای پروسکایت هالیدی CH۳NH۳PbBr۳ در لایه نازک آلومینیوم اکسید متخلخل

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 134

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-22-1_004

تاریخ نمایه سازی: 17 دی 1401

چکیده مقاله:

در این پژوهش ویژگی های نورتابی بلورهای محصورشده پروسکایت متیل آمونیوم سرب برمید (CH۳NH۳PbBr۳) ددر میان لایه های نازک آلومینیوم اکسید متخلخل مطالعه می شود. این لایه های متخلخل با استفاده از روش الکتروشیمیایی آندش ساخته می شود. ابتدا لایه نازک آلومینیوم با روش کندوپاش مغناطیسی لایه نشانی شده و سپس با تغییر ولتاژ آندش، الگو های مختلفی از لایه های آلومینیوم اکسید متخلخل ساخته می شود. در نهایت به منظور سنتز نانو بلورهای پروسکایت CH۳NH۳PbBr۳ در میان ساختار متخلخل از روش لایه نشانی چرخشی تک مرحله استفاده می شود. ریخت شناسی لایه های نازک آلومینیوم اکسید متخلخل با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی و نتایج میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار می گیرد. با هدف بررسی پاسخ نوری بلورهای محصورشده پروسکایت CH۳NH۳PbBr۳ نسبت به مشخصات ساختاری لایه های نازک متخلخل نیز از تحلیل طیف سنجی فوتولومینسانس استفاده شده است. نتایجی که از مطالعات ساختاری به دست آمده است نشان می دهند با افزایش ولتاژ آندش، میانگین قطر نانوحفره های ساخته شده و تعداد آنها افزایش می یابد. همچنین به وسیله طیف سنجی فوتولومینسانس، وابستگی مشخصات تابشی بلورهای محصور شده به اندازه قطر حفره ها معلوم است، به طوری که کاهش قطر حفره ها سبب جابه جایی آبی طیف فوتولومینسانس مشاهده شد. در نهایت با مقایسه نتایج حاصل از مطالعات ساختاری و نوری با نتایج حاصل از رابطه  بروس ، ساخت نانو بلورهای پروسکایت CH۳NH۳PbBr۳ داخل قالب الگودار شده آلومینیوم اکسید بررسی شده است.

نویسندگان

علی نهانی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس، تهران

صادق میری

مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، تهران

الناز یزدانی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس، تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • C F Klingshirn, “Semiconductor optics”, Springer Science & Business Media ...
  • C Kittel, “Einführung in die Festkörperphysik”, De Gruyter (۲۰۰۲). ...
  • L Protesescu, et al., Nano Lett. ۱۵, ۶ (۲۰۱۵) ۳۶۹۲. ...
  • Q A Akkerman, et al., Am. Chem. Soc. ۱۳۷, ۳۲ ...
  • A Swarnkar, et al., Chem. ۱۲۷, ۵۱ (۲۰۱۵) ۱۵۶۴۴. ...
  • Y Zhang, et al., Commun. ۵۲, ۹۴ (۲۰۱۶) ۱۳۶۳۷. ...
  • C C Stoumpos, et al., Am. Chem. Soc. ۱۳۷, ۲۱ ...
  • K Galkowski, et al., Energy Environ. Sci. ۹, ۳ (۲۰۱۶) ...
  • M Yuan, M Liu, and E H Sargent, Nature Energy ...
  • M Shahiduzzaman, et al., Nano-Micro Lett. ۱۳ ۱ (۲۰۲۱) ۱. ...
  • I M Abdellah, et al., Sustainable Energy Fuels ۵, ۱ ...
  • J Burschka, et al., Nature ۴۹۹, ۷۴۵۸ (۲۰۱۳) ۳۱۶. ...
  • A Loiudice, et al., Chem. ۵۶, ۳۶ (۲۰۱۷) ۱۰۶۹۶. ...
  • S Demchyshyn, et al., Sci. ۳, ۸ (۲۰۱۷) e۱۷۰۰۷۳۸. ...
  • L C Schmidt, et al., Am. Chem. Soc. ۱۳۶, ۳ ...
  • J A Sichert, et al., Nano Let. ۱۵,۱۰ (۲۰۱۵) ۶۵۲۱. ...
  • Y Hassan, et al., Mater. ۲۸, ۳ (۲۰۱۶) ۵۶۶. ...
  • H Huang, et al., Mater. ۲, ۹ (۲۰۱۵) ۱۵۰۰۱۹۴. ...
  • H Huang, et al., ACS Appl. Mater. ۷, ۱۵ (۲۰۱۵) ...
  • J A Manser, J A Christians, and P V Kamat, ...
  • H Shen, et al., Mater. Sci. ۵۴, ۱۷ (۲۰۱۹) ۱۱۵. ...
  • P Jin, et al., Phys. Lett. ۸۲, ۷ (۲۰۰۳) ۱۰۲۴. ...
  • نمایش کامل مراجع