طراحی مبدل باک سنکرون دو مد در تکنولوژی CMOSابعاد 90nm
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,017
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE15_184
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله مبدلDC-DCباک دومد ارائه می شود. این مبدل توانایی تطبیق با شرایط مختلف بارگیری و بنابراین دست یافتن به بازده بالا در رنج وسیع از جریان بار را دارد. لذا به کار گیری این مدار در تجهیزات تغذیه شونده با باتری، زمان استفاده از باتری را افزایش می دهدمنابع سوییچینگPWM معمولی در فرکانس ثابت کار میکنند، به علت اتلاف سوییچ بالاتر دارای بازده بار سبک پایینی می باشند در حالی که منابع سوییچینگ با کنترلPFM بازده بیشتری در بار سبک دارد. زیرا فرکانس سوییچ و اتلاف سوییچ با کمتر شدن جریان بار کمتر شده است مبدل دومد تحت شرایط بار سبک به مدPFM وارد می شود. مبدلDC-DCباک در تکنولوژی CMOSابعاد90nm شبیه سازی می شود. بازده مبدل باک ارائه شده در ولتاژ خروجی8.1V بالای % 18 است.
کلیدواژه ها:
کنترلPWM کنترلPFM مبدل دومد
نویسندگان
مریم شرفی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت دب
پرویز امیری
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :