بررسی اثر دمای سینتر بر ریزساختار و فاکتور کیفیت سرامیکهای دی الکتریک مایکروویو با ترکیب ۰.۸۸Ba([Zn۰.۶Co۰.۴]۱/۳,Nb۲/۳)O۳–۰.۱Ba(Ga۱/۲Ta۱/۲)O۳–۰.۰۲BaZrO۳
محل انتشار: مجله مواد و فناوریهای پیشرفته، دوره: 2، شماره: 4
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 68
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JEMI-2-4_005
تاریخ نمایه سازی: 5 شهریور 1402
چکیده مقاله:
سرامیکهای دی الکتریک مایکروویو در دستگاه ها و سیستم های مورد استفاده در فرکانسهای مایکروویو برای مثال تلفن های همراه و سیستم های مخابرات ماهواره ای بکار میروند. ترکیب ۰.۸۸Ba([Zn۰.۶Co۰.۴]۱/۳,Nb۲/۳)O۳?۰.۱Ba(Ga۱/۲Ta۱/۲)O۳?۰.۰۲BaZrO۳ (BZCN-BGT-BZ) از طریق روش معمول ساخت سرامیکها یعنی آسیاب مخلوط پودرهای اولیه ، کلسینه کردن مخلوط، آسیاب مجدد و سینتر قرص های پرس شده در دماهای مختلف تهیه شدند تا بتوان تاثیر دمای سینتر بر روی ریز ساختار و خواص دی الکتریکی را بررسی نمود. نتایج نشان داد که افزایش دمای سینتر باعث افزایش دانسیته میگردد و در C ۱۵۰۰ بالاترین دانسیته مشاهده شد. فاکتور کیفیت (Qf) نیز با بالا رفتن دمای سینتر افزایش پیدا کرد و در C ۱۵۰۰ بالاترین مقدار فاکتور کیفیت (Qf)، GHz۱۶،۰۰۰ مشاهده شد. افزایش در Qf در اثر افزایش دمای سینتر ارتباط با افزایش دانسیته دارد. این افزایش را نمی توان به ارتقاء نظم در شبکه یا حضور سوپر ساختار در شبکه نسبت داد زیرا که پیک سوپر ساختار در الگوی پراش اشعه X مشاهده نشد. علاوه بر این احتمال وجود سوپر ساختار توسط بررسی اعوجاج در شبکه و بررسی تغییرات نسبت c/a (پارامترهای شبکه هگزاگونال سوپرساختار)، منتفی شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
کیوان اسدیان
استادیار، پژوهشگاه مواد و انرژی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :