Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale Single Gate SOI MOSFET
محل انتشار: مجله مهندسی برق مجلسی، دوره: 3، شماره: 2
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 52
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_MJEE-3-2_003
تاریخ نمایه سازی: 3 آبان 1402
چکیده مقاله:
Gate Induced Drain Leakage (GIDL) current is one of the main leakage current components in Silicon on Insulator (SOI) MOSFET structure and plays an important role in the data retention time of DRAM cells. GIDL can dominate the drain leakage current at zero bias and will limit the scalability of the structure for low power applications. In this paper we propose a novel technique for reducing GIDL and hence off-state current in the nanoscale single gate SOI MOSFET structure. The proposed structure employs asymmetric gate oxide thickness which can reduce GIDL current and hence Ioff current to about ۹۸% in comparison with the symmetric gate oxide thickness structure, without sacrificing the driving current and losing gate control over the channel. This technique is very simple in the fabrication point of view in CMOS technology.
کلیدواژه ها:
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :