پایداری سامانه اندازه گیری طول عمر پوزیترون و بررسی نوع و غلظت عیب ناشی از تابش الکترون های ۱۰ مگا الکترون ولتی بر نمونه های سیلیکونی نوع n و p

طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون در ماده، یکی از روش های با ارزش و غیر مخرب در زمینه مطالعه مواد است که می تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الکترونی، غلطت عیب، نوع عیب و اتم های اطراف عیب ارائه دهد. در این تحقیق، پایداری زمان سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفکیک زمانی دستگاه با چشمه کبالت، ۳۶۵ پیکوثانیه به دست آمده است. نمونه های سیلیکونی نوع n و p تحت تابش باریکه الکترون با مقادیر دز تابشی متفاوت ۳، ۱۲ و ۳۰ کیلوگری با انرژی MeV ۱۰ و حداقل جریان باریکه mA ۲/۰ قرار گرفته است. آمار جمع آوری شده برای هر نمونه، حداقل یک میلیون و دویست هزار شمارش است که معمولا طی یک شبانه روز ثبت می شود. طیف های ثبت شده، با برنامه رایانه ای PAScualبه سه مولفه طول عمر برازش، تجزیه و تحلیل شده است. اولین مولفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون درچشمه و حدود ps ۱۸۶، دومین مولفه طول عمر مربوط به نابودی پوزیترون در حجم نمونه و حدود ps۲۱۸ و سومین مولفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون در عیوب است که برای نمونه های مختلف، کوچک و متفاوت می باشد.

کلیدواژه ها:

طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون ، تابش الکترون ، قدرت تفکیک زمانی دستگاه ، عیوب بلوری