Performance Study and Analysis of Heterojunction Gate All Around Nanowire Tunneling Field Effect Transistor
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 46
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JOPN-4-2_002
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1402
چکیده مقاله:
In this paper, we have presented a heterojunction gate all around nanowiretunneling field effect transistor (GAA NW TFET) and have explained its characteristicsin details. The proposed device has been structured using Germanium for source regionand Silicon for channel and drain regions. Kane's band-to-band tunneling model hasbeen used to account for the amount of band-to-band tunneling generation rate per unitvolume of carriers which tunnel from valence band of source region to conduction bandof channel. The simulations have been carried out by three dimensional Silvaco Atlassimulator. Using extensive device simulations, we compared the results of presentedheterojunction structure with those of Silicon gate all around nanowire TFET. Whereasdue to thinner tunneling barrier at the source-channel junction which leads to theincrease of carrier tunneling rate, the heterojunction gate all around nanowire TFETshows excellent characteristics with high on-state current, superior transconductanceand high cut-off frequency.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mahsa Roohy
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy, Iran
Reza Hosseini
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :