The techniques for improvements of the Power Gain and Lattice Temperature
محل انتشار: پنجمین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 18
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CSCG05_113
تاریخ نمایه سازی: 9 اردیبهشت 1403
چکیده مقاله:
RF power characteristics of a SOI-MESFET were improved with a useful optimization of the simple structure. Separate triple trenches are introduced to the proposed device to impact on the electrical performance. The SOI-MESFET with separate triple trenches (TT-SOI MESFET) benefits from these trenches to disperse the potential lines leading to enhancement of RF power features. In the other device, Modification of the potential profile occurs in the channel region and results in decrease in peak electric field. Output power density is successfully boosted owing to improved driving current and breakdown voltage, simultaneously.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad K. Anvarifard
Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan,Iran,