An FVF-Based Gm-Enhanced fully balanced Preamplifier
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 32
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-54-1_011
تاریخ نمایه سازی: 29 اردیبهشت 1403
چکیده مقاله:
A High-gain, fully balanced preamplifier is presented. The proposed structure advantages flipped voltage follower scheme to achieve a compact current conveyor with very low input impedance. The presented current conveyor then is used as a core element to realize a high-gain, gm-enhanced trans-conductance amplifier. The presented amplifier is suitable for application as a preamplifier. The high gain of amplifier makes it very suitable to be configured in a feedback form to deliver a high-precision predefined or programmable amplification gain. The proposed structure draws a very low power of ۱۵۰nW from a ۰.۶V supply voltage. The Spectre Post-layout simulations with TSMC ۱۸۰nm CMOS technology have been performed. The proposed amplifier exhibits an open-loop DC gain of ۱۴۱.۵dB and ۳-dB frequency bandwidth of ۲.۴kHz at ۶۰dB closed-loop configuration. The load capacitance is set to be ۵pF. The proposed structure also delivers high CMRR and PSRR values of ۱۴۸.۳dB and ۱۵۳.۷dB, respectively.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسن فرجی بگتاش
Faculty of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Sahand New Town, Tabriz ۵۳۳۱۸۱۷۶۳۴, Iran
M. Kargar
Iranian Space Research Center (ISRC), Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :