آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 916

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCNTA02_083

تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393

چکیده مقاله:

ءGaN به دلیل داشتن خواص و ویژگی های مناسب در ادوات فرکانس و قدرت بالا کاربرد دارد که نوید خوبی برای پیشرفت تکنولوژی محسوب می شود.حضور لایه ی GaN در ساختار های نامتجانس باعث ایجاد گاز الکترون دو بعدی در فصل مشترک لایه ی GaN و لایه ی سد خواهد شد که در همین ساختار ها غلظت DEG,ضخامت لایه ی سد وکسر مولی Al در اثرات قطبیدگی پیزوالکتریک و خود به خودی نقش مهمی را ایفا می کنند.

کلیدواژه ها:

ءGaN ، AlGaN ، 2DEG ، قطبیدگی پیزوالکتریک ، قطبیدگی خود به خودی

نویسندگان

پریسا اسماعیلی

دانشجوی کارشناسی ارشد نانوالکترونیک

کریم عباسیان

استاد دانشگاه تبریز

غلامرضا کیانی

استاد دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • . _ J. Robinson and Z. K. Kun, (1975). Appl. ...
  • .Ab initio studiesJ.-M. Wagner and F. Bechstedt. published 10 September ...
  • .V. Darakchieva and B. Monemar .2007.On the lattice parameters of ...
  • .Kenneth L. Holmes. June 2002 _ Two -dimensional modeling of ...
  • . J. H. Edgar. 1 994.Properties of Group-III Nitrides, (INSPEC, ...
  • .Agostino Zoroddu, Fabio Bernardini, and Paolo Ruggerone. (Submitted 24 November ...
  • .Su Jin Kim, Dong Ho Kim, Jae Moo Kim, Kang ...
  • .peiqiang Xu, yang Jiang, yao Chen, ziguang Ma, xiaoli Wang, ...
  • .T. saski, T .Matsuka, J. (1998).Appl. Phys. 64, 4531 ...
  • .R. Dimitrov, L. Witter and . Stutzmann. MARCH 1999.. Journal ...
  • نمایش کامل مراجع