بهبود عملکرد تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده های مخابرات نوری

در این مقاله یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA (، که در طبقه اول گیرنده های مخابرات نوری مورد استفاده قرار می گیرد، بعنوان مدار مرجع انتخاب شده است. تقویت کننده امپدانس انتقالی انتخابیبه گونه ای طراحی شده است که دارای بهره و پهنای باند بالا و همچنین دارای توان مصرفی کمی می باشد و با تکنولوژی CMOS 90nm طراحی و در محیط نرم افزار HSPICE شبیه سازی شدهاست. با توجه به اینکه در مدار انتخابی می خواهیم از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی 23 نانومتری ) CNTFET 32nm ( استفاده کنیم. برای مقایسه آن، ابتدا مدار را با فناوری CMOS 90nm شبیه سازی کرده، سپس مدار انتخابی را با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر جایگزین نموده و در نرم افزار HSPICE شبیه سازی وبرخی پارامترهای این دو مدار را بررسی و با یکدیگر مقایسه می کنیم. در این مقاله، تعداد لوله ها در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی ) CNTFET 5 تایی و 11 تایی در نظر گرفته شده است. ،)نتایج حاصل از شبیه سازی، بهبود چشمگیر پارامترهای مورد ارزیابی از قبیل بهره، پهنای باند، امپدانس ورودی، نویز و توان مصرفی در تقویت کننده امپدانس انتقالی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی نسبت به تکنولوژی CMOS را نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده امپدانس انتقالی ، ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ، گیرنده مخابرات نوری