طراحی تقویت کننده کم نویز توزیع شده در باند Ku
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,167
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0886
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده کم نویز در باند 18GHz)Kuـ12) با استفاده از تکنولوژی 180نانومتر CMOS ، ارائه شده است. با استفاده از ساختار بالاگذر در خط خروجی و ساختار پایین گذر در طبقات میانی، ازخاصیت ضرب پاسخ فرکانسی پایین گذر در بالاگذر برای دستیابی به پاسخ فرکانسی میان گذر در باند Ku استفادهشده است. تکنیک کاهش نویز در این مقاله بر اساس حذف مقاومت پایانی خطوط انتقال بین طبقات است. با این ایده، عددنویز ساختار پیشنهادی کمتر از ساختارهای متداول شدهاست. بمنظور هموارسازی پاسخ فرکانسی از یک سلف سری درطبقه دوم برای ایجاد پیک در محلی که بهره کمینه است، استفاده کردهایم. تکنیک ارائه شده با استفاده از تکنولوژی 180نانومتر CMOS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که تقویت کننده دارای عدد نویز بین 2/7 تا 3 دسیبل به ازای بهره میانگین 20/6dB است. همچنین توان مصرفی تقویت کننده مورد نظر به همراه مدار بایاس طراحی شدهبرای آن، برابر 40mW می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهسا امیدی
کارشناس ارشد ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ،دانشگاه رازی کرمانشاه
غلامرضا کریمی
دانشیار گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
عبدالرضا نبوی
استاد گروه برق، دانشکده فنی مهندسی دانشگاه تربیت مدرس
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :