Influence of Stone Wales defect on magnetic resistance of zigzag graphene nanoribbons

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 558

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

KBEI02_197

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395

چکیده مقاله:

The electronic properties of zigzag graphene nanoribbons can be significantly modified from semiconducting to metallic states by change the atom’s spin in graphene nano ribbons. In this paper, the impact of Stone-Wales defect on a Zigzag Graphene Nano-ribbon has been investigated for ferromagnetic and anti-ferromagnetic states. The Magnetic Resistance is calculated by applying Stone-Wales defect in the center of Graphene Nano-ribbons. The simulations are based on DFT method. The simulation results show that, by applying Stone-Wales defect, the bandgap increases in comparison to the ideal state, the conductivity decreases, and so does the current, and as a result of that, the Magnetic Resistance, at voltages below 0.5 V, decreases in comparison to the ideal state. At voltages above 0.5 V, the Magnetic Resistance increases in comparison to the ideal state. Also Magnetic Resistance can get negative values and reaches 650% at 1 V. The large tunable Magnetic Resistance of graphene nano ribbons is attractive to device applications.

نویسندگان

Mohammad Bagheri

Electrical, Computer and IT engineering department Qazvin Islamic Azad University (QIAU) Qazvin, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. K. Geim and K S. Novoselov, Nature Mater. 6, ...
  • A. F. Morpurgo, Nature London- 462, 170 2009. ...
  • M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, ...
  • V. v. Cheianov, V. Fal'ko, and B. L. Altshuler, Science ...
  • E. V. Castro, K. S. Novoselov, S. _ Morozov, N. ...
  • _ _ _ and M. Lundstrom, IEE ...
  • G. Fiori and G. Iannaccone, IEEE Electron Device Lett. 28, ...
  • K. T. Lam, C. Lee, and G. Liang, Appl. Phys. ...
  • Copyright Notice is: 978-1 -4673-6506-2/ 5/831 _ 00 G2015 IEEE ...
  • نمایش کامل مراجع