شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN
محل انتشار: چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 413
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_312
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله بازده کوانتومی و پهنای باند فتودیودهای PIN ، در شرایط تابش نور غیر یکنواخت با استفاده از مدلی کاملتربررسی شده است. ناحیه جذب به تعداد لایه های دلخواه تقسیم و معادلات پیوستگی برای هر لایه بافرض اینکه در، هر لایه،سرعت رانش حامل ثابت باشد حل شده است. اثر زمان گذر و اثرات خازنی پهنای باند با توجه به ولتاز بایاس، عرض ناحیه جذب و دما بررسی شده است. وابستگی بازده کوانتومی نسبت به طول موج تجزیه تحلیل شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
روشنک علیزاده
گروه مهندسی برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران
عباس قدیمی
گروه مهندسی برق، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :