تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,396
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_141
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال ترانزیستور SOI-MOSFET در ابعاد نانو پرداخته شده است. این بررسی ها با استفاده از شبیه سازی مدل موازنه انرژی و انجام شبیه سازی های یک بعدی و دو بعدی صورت گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولتاژ آستانه در اثر توزیع غیریکنواخت ناخالصی ها در زیر گیت دستخوش تغییراتی می شود، که حداکثر این تغییرات در حالت یک بعدی (طولی) حدود 5% و در دو بعدی (طولی و عمقی) حدود 12/5% می باشد
نویسندگان
جعفر احدزاده فرهود بناب
دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار، سبزوار- ایران