رسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 314
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_VIBME-5-3_001
تاریخ نمایه سازی: 23 دی 1396
چکیده مقاله:
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های III‐V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله رسانندگی الکتریکی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانایی GaAs هستند به ترتیب با عناصر Co و Cr آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه GaAs به وجود میآورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی حاملین در گستر هی دمایی (400-100) درجه کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است. به دلیل بزرگ بودن گاف انرژی GaAs، در بازه دمایی فوق رسانش از نوع رسانش غیرذاتی است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسن خالقی
مربی، گروه علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران