بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید

ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید 1 به دلیل خواص منحصر به فردش از جمله سرعت سوییچینگ بالا، نرخ بالای سیگنال به نویز و فرکانس کاری بالا یکی از قطعات به کار رفته در صنایع مخابراتی در باند مایکروویو می باشد که امروزه مدارهای مجتمع زیادی بر اساس این قطعه طراحی و ساخته شده است. در حقیقت تا اواخر دهه 1980 تمامی مدارات مجتمع میکروویو بر اساس این ترانزیستور ساخته می شد. اگر چه قطعات دیگری با کیفیت کاری بهتر جهت جایگزینی این ترانزیستور ساخته شدند، اما هنوز این ترانزیستور جایگاه ویژه ای در طراحی و ساخت مدارات سوییچینگ، تقویت کننده های قدرت و مدارات میکروویو دارد. در این تحقیق ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید بررسی و شبیه سازی می شود. در ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود، شماتیک ساختار ترانزیستور ارایه می شود و معادلات مربوطه استخراج می گردد، سپس مراحل مختلف ساخت ترانزیستور بیان می شود. در ادامه برای اینکه درک بهتری از عملکرد این نوع ترانزیستور ایجاد شود، با استفاده از نرم افزار سیلواکو این ترانزیستور شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.