طراحی و پیشنهاد مدار مخصوص کلیدزنی ماسفت اینورتر پل H در ولتاژ راه اندازی 24 ولت

در این مقاله طراحی یک مدار کلیدزنی برای نیمه هادی قدرت ،کانال N با استفاده از اجزای گسسته در ولتاژ راه اندازی 24 ولت پیشنهاد شده است.در این شبیه سازی از روش انتقال سطحی خاصی ، برای افزایش ولتاژ گیت که بالاتر از ولتاژ منبع میباشد،به کار گرفته شده است.برای مشاهده عملکرد مدار کلیدزنی طراحی شده، مدار در فرکانس های ورودی مختلف اعمالی به گیت نیمه هادی (از 50 هرتز تا 150 کیلوهرتز)آزمایش شده است.در این مقاله از ماسفت IRF730 به عنوان نیمه هادی کلیدزنی استفاده شده است.در نتیجه،در عملکرد نشان داده شده دیده میشود که مدار کلیدزنی تا فرکانس 100 کیلوهرتز به خوبی کار خواهد کرد.

کلیدواژه ها:

مدار خود راه انداز ، طراحی اینورتر پل H ، کلیدزنی ماسفت ، انتقال دهنده سطح