بررسی خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO4
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 980
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_309
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
دراین مقاله خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO4 ، از قبیل تابع چگالی حالت ها، تابع دی الکتریک، ضریب شکست، ضریب خاموشی و طیف اتلاف انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگال (DFT) با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف الکترونیکی محاسبه شده دراین مقاله برابر 3/76 الکترون ولت و گاف اپتیکی برابر 2/5 الکترون ولت است.
کلیدواژه ها:
تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) ، چگالی کل حالتها (Dos)
نویسندگان
جواد باعدی
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
زهرا ابراهیمی
گروه برق،دانشگاه تربیت معلم ، سبزوار
آتنا بروغنی
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :