تعییین انرژی های مشخصه در لایه نازک سیلیکون کرباید ساخته شده به روش بخار شیمیایی با سیم داغ در فشارهای گاز متفاوت

در این روش ساخت لایه نازک سیلیکون کرباید پارامترهای کنترلی زیادی وجود دارد که از جمله فشار جزیی گاز ورودی میباشد. پس از تکمیل فرایند ساخت، اثر تغییرات این پارامتر بر ویژگی های اپتیکی و ضریب شکست لایه ها از طریق اندازه گیری طیف عبور UV-Vis_NIR محاسبه گردید. بررسی چگونگی تغییر در مقادیر انرژی از طریق ضریب شکست نشان میدهد با افزایش شار ورود گاز برای نسبت سیلان به متان از مقادیر 5/10 تا2،5/50 مقدار گاف انرژی را از 2.26ev به 1.88ev کاهش می باید.

کلیدواژه ها:

فشار جزیی گازهای ، انرژی مشخصه لایه نازک SiC ، لایه های نازک SiC با رسوب بخارشیمیایی توسط سیم داغ