آنتن آرایه فشرده پچ میکرواستریپ تغذیه شده توسط یک آنتن محفظه پشتی شکافی SIW برای کاربردهای 24 گیگاهرتز

در این مقاله یک آنتن آرایه پچ میکرواستریپ با پلاریزاسیون خطی و سطح پلاریزاسیون متقاطع پایین برای کاربردهای 24GHz گزارش شده است. المان تشعشعی تکی در این ساختار متشکل شده است از 4 قطعه پچ با چرخش 45 درجه می باشد که توسط یک محفظه SIW از طریق شکاف تغذیه می شوند. آنتن آرایه پچ پیشنهادی نه تنها با این روش فشرده سازی شده است ، بلکه سطح پلاریزاسیون متقاطع آن هم کاهش چشمگیری پیدا کرده است. نحوه قرار گیری پچ ها در کنار همدیگر و همپوشانی دیواره های الکتریکی و مغناطیسی از طریق اتصال فیزیکی باعث جلوگیری از تششعشع پلاریزاسیون متقاطع در گوشه ها و کاهش سطح پلاریزاسیون متقاطع می شود. این آرایه با 8 المان تشعشعی برای استفاده در کاربردهای 24GHz طراحی و شبیه سازی شده است. این آنتن در فرکانس 23 تا 24.8 گیگاهرتز کار می کند و مقدار بهره آن از 10 dBi تا 13 dBi در فرآیند شبیه سازی بدست آمده است. بخاطر نوع تغذیه از مرکز این ساختار انحراف پرتوی تشعشعی در راستای تشعشع عمود بر آنتن بسیار ناچیز می باشد. مقدار بهره بدست آمده در فرکانس 23.5 گیگاهرتز مقدار 13 dBi می باشد و با بررسی الگوی تشعشعی در این فرکانس مشخص شده است که سطح پلاریزاسیون متقاطع کمتر از 40- دسی بل با پوشش پهنای پرتو 3 دسی بل در کل پهنای باند امپدانسی ساختار می باشد.

کلیدواژه ها:

آنتن پچ میکرواستریپ ، موجبر مجتمع شده بر زیر لایه ، شبکه تغذیه چندلایه ، محفظه پشتی