ساختار جدید ترانزیستور دوقطبی پیوندی با آلاییدگی توسط میدان الکتریکی

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور دوقطبی پیوندی معرفی شده است که آلایش نواحی آن از طریق میدان الکتریکی انجام میگیرد. نتایج شبیه سازی توسط نرم افزا سیلواکو نشان میدهد که این ساختار دارای مشخصات مشابه با ترانزیستور دو قطبی پیوندی معمولی است. پاسخ فرکانسی و پاسخ زمانی ساختار پیشنهادی با طراحی تقویت کننده امیتر مشترک بر پایه آن، تحلیل و بررسی شده است. طبق نتایج شبیه سازی فرکانس قطع ساختار 1.14 گیگاهرتز بدست آمده است که مناسب برای مدارهای فرکانس بالا است. یکی دیگر از مشخصات مورد توجه ساختار پیشنهادی نسبت بالای جریان روشن به خاموش است که بیشتر از 10 5 اندازه گیری شده است. نسبت بالای جریان روشن به خاموش در این ترانزیستور، این قطعه را گزینه مناسبی برای کاربردهای دیجیتالی میکند.

کلیدواژه ها:

پاسخ فرکانسی ، ترانزیستور دو قطبی پیوندی ، جریان روشن به خاموش ، میدان الکتریکی.