طراحی تقویت کننده کم نویز با توان مصرفی کم و قابلیت های حذف خارج از باند، بهبود نویز و خطینگی در سیستم فرا پهن باند

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 248

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_SAIRAN-10-2_004

تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400

چکیده مقاله:

عددنویز تقویت کننده های کم نویز بطور مستقیم به عدد نویز سیستم افزوده می شود؛ بنابراین عملکرد تقویت کننده های کم نویز کارایی سیستم را از نظر نویز مشخص می کنند. در این مقاله تقویت کننده کم نویز با توان مصرفی کم در سیستم فراپهن باند، یکی با قابلیت حذف خارج از باند فرکانسی و دیگری با قابلیت بهبود نویز و خطینگی مدار توسط تکنولوژی CMOS تحلیل و طراحی شده است. در طراحی تقویت کننده ی کم نویز، تکنیک بایاس زیرآستانه برای طراحی کم توان، ، از فیلتر چپیشف برای تطبیق امپدانس ورودی و تکنیک کاسکود برای افزایش ایزولاسیون معکوس و افزایش بهره استفاده شده است. در طراحی تقویت کننده ی کم نویز با استفاده از فیلتر تله ای دوگان که با سلف فعال توان پایین پیاده سازی شده است، حذف خارج از باند در فرکانس GHz۴/۲به میزانdB۴۲ و در فرکانس GHz۲/۵ به میزان dB۳۶ بهبود داده شده است، همچنین با استفاده از تکنیک های بهبود نویز و خطینگی، مقدار نویز dB۳/۲کاهش یافته و مقدار خطینگی مدار dB۹ بهبود یافته است. تقویت کننده های کم نویز طراحی شده با پهنای باند ۳ تا ۵ گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژیCMOS μm۱۸/۰، توان های۸/۲ میلی وات و ۹/۱ میلی وات را به ترتیب از منبع تغذیه ۸/۱ ولت مصرف می کنند.

کلیدواژه ها:

بایاس زیر آستانه ، تقویت کننده کم نویز ، تکنیک حذف نویز ، حذف خارج از باند

نویسندگان

مریم باباصفری

گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه زنجان

مصطفی یارقلی

دانشگاه زنجان-دکتری الکترونیک

محمد مصطفوی

گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه زنجان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • P. R. Gray, P. J. Hursts, S. H. Lewis, and ...
  • M. Yargholi, and A. P. Tarighat, “ResistiveFeedback LNA With Dual ...
  • B. Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits,” McGraw Hill, ...
  • W. Chen, G. Liu, B. Zdravko, and A. M. Niknejad, ...
  • M. Alioto, “Ultra low power VLSI circuit design demystified and ...
  • M. Alioto, “Understanding DC behavior of subthreshold CMOS logic through ...
  • H. Lee, and S. Mohammadi, “A ۳GHz Subthreshold CMOS Low ...
  • A. Bevilacqua, and A. M. Niknejad, “An ultra-wideband CMOS LNA ...
  • M. Babasafari, and M. Yargholi, “A ۳.۱-۱۰GHz Low Power CMOS ...
  • A. P. Tarighat, and M. Yargholi, “A CMOS low noise ...
  • M. El-Nozahi, A. Helmy, E. Sanchez-Sinencio, and K. Entesari, “An ...
  • S. Joo, T. Choi, and B. Jung, “A ۲.۴-GHz Resistive ...
  • H. Zhang, and E. Sanchez-Sinencio, “Linearization Techniques for CMOS Low ...
  • Circuits Syst. I, Reg. Papers, vol. ۵۸, no. ۱, pp. ...
  • A. J. Scholten, L. F. Tiemeijer, R. van Langevelde, R.J. ...
  • D. M. Pozar, “Microwave Engineering,” New York: Wiley,۱۹۹۸ ...
  • [۱۶]Ch. Liang, P. Rao, T. Huang, and Sh. Chung, “Analysis ...
  • S.-K. Tang, K.-P. Pun, C.-S. Choy, C.-F. Chan, and K. ...
  • Circuits Syst., vol. ۵۵, no. ۷, pp. ۶۵۳-۶۵۷, ۲۰۰۸[۱۸] Y. ...
  • R. E. Amaya, N. G. Tarr, and C. Plett, “A ...
  • IEEE RFIC Symp., pp. ۱۹۳-۱۹۶, ۲۰۰۴ ...
  • H.H. Hsieh, et al., “A CMOS ۵-GHz Micro Power LNA, ...
  • J. Kim, S. Hoyos, and J. Silva- Martinez, “ Wideband ...
  • K. Wang, K. Seng Yeo, K. Mal, and Zh. Wang, ...
  • Ro. Min WENG, Ron-Chi KUO, and Po-Cheng LIUN, “An Ultra-Wideband ...
  • T. K. K. Tsang, K.-Y.Lin, and M. N. El-Gamal, “Design ...
  • نمایش کامل مراجع