مدلسازی دوبعدی ترانسیستور تونلی شاتکی با دی الکتریک (TiO(۲، دی الکتریک (HfO(۲

در این مقاله طراحی و تحلیل و مدل سازی ترانزیستوری تونلی شاتکی با استفاده از (TiO(۲ و (HfO(۲ برای دی الکتریکی انجام شده است. وجود یک تونلینگ شاتکی در رابطه کانال سورس و جریان درین به دلیل تونل سازی پیشرفته از یک باند شارژ به باند دیگر در ناحیه رابط تقاطع ها باعث بهبود قابل توجه ترانزیستور می شود. با این کار هدایت و در نتیجه میزان تونل زنی افزایش می یابد. در نهایت باعث افزایش کارایی ترانزیستور می شود. با توجه به افزایش میزان تونل زنی، که این امر موجب کاهش جریان می شود، ت رانزیستور پیشنهادی مدلی برای مکمل های فلزی اکسیدهای نیمه هادی و (CMOS) است. که شبیه ساز این مدل را با سیلواکو انجام دادیم.

کلیدواژه ها:

الکترون ، پتانسیل ، تونلی ، شاتکی ، مدلسازی ، ولتاژ