اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 13، شماره: 2
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 58
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-13-2_011
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تاثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص و افزایش تعداد آن در یک سیم فرومغناطیسی رسانش بدون (همراه با) وارون شدن اسپین الکترون، کاهش (افزایش) مییابد. همچنین رسانش شدیدا به چرخش گشتاور مغناطیسی نقص وابسته است و با افزایش تعداد نقص این وابستگی محسوس تر می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان