تقویت کننده کم نویز گیت مشترک پهن باند با استفاده از تکنیک فیدبک مثبت- منفی

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز دوطبقه برای کاربردهای پهن باند ارائه می شود. با به کار گیری تکنیک فیدبک مثبت- منفی، ساختار پیشنهادی به تطبیق امپدانس وسیع، عدد نویز پایین و بهره یکنواخت بالا دست می یابد. طبقه ورودی گیت مشترک از تکنیک gm-افزایش یافته برای کاهش نویز استفاده می کند. همچنین، فیدبک ترانسفورمری مثبت برای افزودن درجه آزادی در انتخاب ترارسانایی ترانزیستور ورودی این طبقه استفاده می شود. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی بر اساس تکنولوژی µm CMOS ۰.۱۸ طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده در باند فرکانسی GHz ۶.۵-۱۰.۵، دارای بهره توان (S۲۱) یکنواخت dB ۱۸±۰.۵، عدد نویز پایینتر از dB ۳ و تلفات بازگشتی ورودی (S۱۱)، کمتر از dB -۱۰ است. همچنین، توان مصرفی آن نیز mW ۸ از سطح منبع تغذیه پایین V ۰.۸۵ است.

کلیدواژه ها:

فیدبک مثبت ، منفی ، gm ، افزایش یافته ، پهن باند ، ترانسفورمر ، تقویت کننده کم نویز