بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام هویسلر Cr۲ScSb
محل انتشار: دوفصلنامه اپتوالکترونیک، دوره: 3، شماره: 2
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 57
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-3-2_009
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
چکیده مقاله:
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام هویسلر Cr۲ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالت ها یک گاف نیم فلزی به اندازه ۰۷/۰ الکترون ولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمی شود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار می باشد. Cr۲ScSb دارای مغناطش کل ۴ مگنتون بور می باشد و از رابطه اسلیتر-پائولینگ پیروی می کند. بررسی خواص اپتیکی نشان می دهد که این ترکیب برای استفاده به عنوان جاذب امواج الکترومغناطیسی گزینه مناسبی است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه کرمی
دکتری، فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد خرم آباد، خرم آباد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :