طراحی سلول تمام جمع کننده بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی کربن نانو لوله

در این مقاله یک سلول تمام جمع کننده جدید که سرعت واحد محاسباتی را تا حدود بسیار زیادی افزایش داده است طراحی کردیم. در این طراحی جدید برای بالا بردن پارامترهای سرعت و توان مصرفی از ترانزیستورهای کربن نانو لوله استفاده کردیم. در اولین طراحی پیشنهادی از 37 ترانزیستور در شبکه پایینی و 5 مقاومت در شبکه بالایی که باعث بهبودی در پارامترهای خروجی مدار می شود بهره برده ایم. همچنین در این مقاله با استفاده ازشبیه ساز HSPICE که مدل CNTFET در ان تعریف شده است نیز در ان تعریف شده است نیز 0/9V برای منبع ولتاژخود استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان داده است که ما در بخش های تآخیر و توان مصرفی و PDP نسبت به طرح های گذشته به پیشرفت قابل ملاحظه ای دست یافتیم.

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده ، کربن نانوتیوپ ، ترانزیستورهای اثر میدانی کربن نانو لوله ، تمام جمع کننده با توان مصرفی پایین CNTFET