آنالیز ولتاژ سد آستانه در مسفت ها و بررسی اثر کاهش سد درین

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,048

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SENACONF01_473

تاریخ نمایه سازی: 25 فروردین 1394

چکیده مقاله:

با اعمال ولتاژ درین ، و همزمان با تشکیل یک ناحیه وارون زیر گیت ، تغییراتی در طول کانال یوجود آمده که منجر به کاهش شیب منحنی سطح درین می شود که به آن اثرات کاهش سد درین یا DIBL میگویند. مدل تحلیلی ولتاژ آستانه را برای قطعه کانالکوتاه به نسبت L/a ترکیب میکند. ND 3 شدت ناخالصی کانال که حاصل اعمال ولتاژ VDS4 می باشد، پایهای برای طراحی مدارات و قطعات کانال کوتاهمیاست.این خاصیت باعث وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین سورس می شود. این مدل همچنین شامل معادله پواسون دوبعدی میباشد تا اثرات کاهش سد درین، در قسمت درین را به درستی و با دقت بیشتری تعریف کند.

نویسندگان

احمدرضا رمضانپور

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا،فسا،ایران

محسن معصومی

عضو هیئت علمی گروه برق و الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم،جهرم، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Areias, P.M.A. and Belytschko, T. (2005), "Analysis of Three-Dimen sional ...
  • J.M. Golio et al., IEEE Trans. on Electron Dev"., Vol. ...
  • T. Ytterdal et al., IEEE Trans. on Electron Dev., Vol. ...
  • P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, ...
  • IEEE Zhang etal J. Vac. Sci. Technol. A 14, 840 ...
  • IEEE Klein et al -- 4 September 2003 - Volume ...
  • IEEE Kunihiro et al. - Dec 1999 _ Volume 20(12), ...
  • IEEE Ytterdal et al. - Aug 1999 - Vol 46[8] ...
  • Emerging Gallium Nitride Based Devices s. N. Mohammad, arnel a. ...
  • S.C. Binari, L.B. Rowland, W. Kruppa, G. Kelner, K. Doverspike ...
  • H. Akagi, IEEE Trans. Power Electron. 13, 345 -1998. ...
  • G. T. Heydt and B. J. Skromme, Mater. Res. Soc. ...
  • E. R. Brown, Solid-State Electron. 43, 1918 -1998. ...
  • Power S emiconductor Devices, edited by S. J. Baliga -PWS, ...
  • نمایش کامل مراجع