طراحی گیت NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
محل انتشار: اولین کنفرانس مجازی علوم مهندسی وفناوری نانو
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 474
فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NSTE01_052
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت NOR در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک در جهان امروز دارند همچنین ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های NOR با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد. دراین مقاله گیت های NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 91 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های NOR بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میلاد قطب دینی
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فخرالسادات رستگاری
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فرحناز ذاکریان
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد (مربی)
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :